线缺陷的详述及具体分类

　　实际晶体在结晶时，受到杂质，温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击，切割等机械应力作用，使晶体内部质点排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶体的有序排列，形成线状缺陷。

　　位错直观定义：晶体中已滑移面与未滑移面的边界线。

　　这种线缺陷又称位错，注意：位错不是一条几何线，而是一个有一定宽度的管道，位错区域质点排列严重畸变，有时造成晶体面网发生错动。对晶体强度有很大影响。

　　2.2.1位错的基本类型及特征

　　位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。

　　1. 刃型位错

　　其形式可以设想为：在一完整晶体，沿BCEF晶面横切一刀，从BC→AD，将ABCD面上半部分，作用以压力δ，使之产生滑移，距离 （柏氏矢量晶格常数或数倍）滑移面BCEF，滑移区ABCD，未滑移区ADEF，AD为已滑移区交界线—位错线。

　　正面看简图：如上图

　　滑移上部多出半个原子面，就象刀刃一样（劈木材）称刃型位错。

　　特点：滑移方向与位错线垂直，符号⊥，有多余半片原子面。

　　2. 螺型位错

　　其形成可设想为：在一完整晶体，沿ABCD晶面横切一刀，在ABCD面上部分沿X方向施一力δ，使其生产滑移 ，滑移区ABCD未滑移区ADEF，交界线AD（位错线）

　　特点：滑移方向与位错线平行，与位错线垂直的面不是平面，呈螺施状，称螺型位错。

　　刃型位错与螺型位错区别：

\

　　主要从各自特点区别：

　　刃型：滑移方向与位错线垂直，多半个原子面，位错线可为曲线。

　　螺型：滑移方向与位错线平行，呈螺旋状，位错线直线。

　　由于位错的存在对晶体的生长，杂质在晶体中的扩散，晶体内镶嵌结构的形成及晶体的高温蠕变性等一系列性质和过程都有重要影响。

　　晶体位错的研究方法：通常用光学显微镜，X光衍射电子衍射和电子显微镜等技术进行直接观察和间接测定。

　　位错具有以下基本性质：

　　(1)位错是晶体中原子排列的线缺陷，不是几何意义的线，是有一定尺度的管道。

　　(2)形变滑移是位错运动的结果，并不是说位错是由形变产生的，因为一块生长很完事的晶体中，本身就存在很多位错。

　　(3)位错线可以终止在晶体的表面（或多晶体的晶界上），但不能终止在一个完事的晶体内部。

　　(4)在位错线附近有很大应力集中，附近原子能量较高，易运动。